직류 증폭기

목적 트랜지스터의 β와 에미터 저항값에 의해 증폭기의 입력 저항이 얼마의 영향을 받는가를 보여주고 β가 Darlington 회로에서 얼마나 증폭하는가를 확인하고자 한다. 서론 어떤 증폭기든지 그 중요한 특징은 그 입력 저항이다. 이미 반도체 이론에서 배운 것과 같이 콜렉터 접지 증폭기의 입력 저항은 트랜지스터의 β에 에미터 저항을 곱한 것과 같음을 알 수 있을 것이다. 이를 식으로 표시하면 RIN = β×RE이다. 이와 같은 것을 쉬운 방법으로 보여주기 위하여 RIN 저항을 RC회로의 저항으로 사용하여 β와 RE의 값을 변화시켜 RIN의 시정수를 변화시키는 것이다. 이때 이 시정수를 조심스럽게 측정함으로서 RIN에 미치는 영향을 결정할 수 있다. 실험 부품 및 기기 전자실험기(ED-2100) : NO-21021대오실로스코프1대100Ω 저항; 10%, 1/4W1개1000Ω 저항; 5%, 1/4W1개2㏀ 저항; 5%, 1/4W1개10㏀ 저항; 10%, 1/4W1개100㏀ 저항; 10%. 1/4W1개100㎊ 콘덴서1개1000㎊ 콘덴서1개0.01㎌ 콘덴서1개실리콘 다이오드(1N4002)1개NPN 트랜지스터2개 실험 순서 및 결과 1. 전자실험기의 전원 스위치가 꺼져 있는 상태에서 그림 1의 RC 필터 회로를 실험기에 구성하고 회로 구성이 완료되면 실험기의 전원 스위치를 ON 한다. 그림 1 실험 순서 1에서 10까지 실험 회로 2. 오실로스코프에 전원을 넣은 다음 트리거를 INT로 하고 HOR sweep time은 1000㎲가 되게 조정한다. 3. 오실로스코프이 접지 리드를 회로의 B 점에 접속하고 전압 리드는 A 점에 접속시킨다. 4. 실험기의 GENERATOR의 주파수 조정 손잡이를 돌려 주파수가 100㎐가 되게 한다. 5. 그림 2에 보인 것과 같이 오실로스코프를 조정하여 파형의 높이가 정확히 5㎝가 되게 하고 실험기의 주파수를 조정하여 그…
5. 그림 2에 보인 것과 같이 오실로스코프…