광학기기

- 테라헤르츠파 광원
: 일반적으로 0.1 -10 THz 정도의 주파수를 가진 전자파를 발생하며, 파장으로는 30㎛ - 3000㎛, 에너지로는 0.4 - 40meV에 해당하는 영역이다. 따라서 우리가 흔히 말하는 빛과 기존의 전자파 영역의 중간에 위치하나 현재 이 대역에 만족할 만한 광원이 없다. 최근 반도체 제조기술의 발전에 의하여 나노구조를 가지는 반도체를 제작할 수 있게되었다. 즉 MBE나 MOCVD등의 방법을 이용하여 저차원 전자구조를 갖는 양자소자 제작이 가능하게되었고, 이 저차원 양자소자에서 일어나는 특성은 기존의 물리현상과는 다른 결과들을 보여 주고있다. 즉, 이러한 전자계에서의 페르미 에너지나 부준위 간격등이 수 meV범위내에 존재하게 된다. 에너지가 수 meV이기 때문에 진동수의 크기는 수 테라헤르트 범위에 있게 된다. 그러므로 원적외선 전자파와 저차원 전자계가 강하게 상호 작용할 수 있게되고, 자기-포톤-포논 공명과 같은 광자 유도 양자공명현상효과를 관측하는 것이 가능하다. 그리고 많은 화합물 반도체중 초격자구조를 갖는 GaAs를 기반으로 한 저차원 전자계에 대해서, 불순물이나 포논에 의한 산란에 기인한 전자 천이 율이 테라헤르츠 범위…