트랜지스터

그림 27-2의 바이어스는 EB간이 순ㅂ장향 바이어스, CB간이 역방향 바이어스로 되어 있다. 에미터의 정공은 EB간의 순방향 바이어스 때문에 베이스로 넘어간다. 베이스로 넘어간 정공은 베이스를 지나 BC 접합 부근에 도달하면 BC간의 강한 전계에 끌려서 콜렉터로 넘어갈 것이다. 이 때 베이스를 통과하는 정공들은 베이스 내의 전자들과 재결합 하여 소멸되는 경우도 존재한다. 이렇게 소멸되는 정공 수를 줄이기 위해 베이스의 폭은 될 수 있는 대로 작게 하는 것이 좋다. 일반적인 pn다이오드를 pn-pn로 구성하여 트랜지스터로 사용할 수 없는 이유는 베이스의 폭이 매우 길어져서 베이스 내로 주입된 정공이 베이스를 통과하기 전에 거의 다 재결합에 의해 소멸되기 때문에 트랜지스터 작용을 할 수 없게 되기 때문이다. 에미터, 베이스 및 콜렉터의 직류 전류를 IE, IE`, 및 I 라 하면그림 27-2에서 다음 식과 같이 된다. (27-1) 2) 트랜지스터의 특성 베이스 접지 증폭기를 구성할 때 IC-VCB 특성 곡선은 그림 27-3의 (a)를 이용하면 간단히 구할 수 있다. CB간이 역 바이어스 되어 있어 ICN ≃0 이기 때문이다. 물론 IB 작기 때문에 IC ≃ IE 가 성립한다. 여기서 로 정의 한다면 α는 베이스 접지시의 전류 증폭률을 의미할 것이다. 다음 에미터 접지 증폭기의 IC-VCE 특성 곡선을 구해 보자. 트랜지스터가 증폭기로서 동작하려면 바이어스는 EB간이 순방향 바이어스, CB간이 역방향 바이어스가 되어야 한다. 여러 가지 복잡한 요소를 제외하고 간단히 특성 곡선을 그려 보면 그림 27-4와 같이 나타낼 수 있다. 여기서 라면 β는 에미터 접지 시 전류 증폭률을 의미한다. VCE < VCE,sat 인 영역을 포화 영역이라 하고 IB ≈ 0 이 되는 부분을 차단 영역이라 한다. 디지털 회로에서는 포화영역 및 차단 영역을 …
VCE < VCE,sat 인 영역을 포화 영역이…