Elemental

2) Compound Semiconductors Group III-V : GaAs, GaP, InSb, InP, GaN II-VI : HgTe, CdSe, ZnS, CdTe ... ‣ GaAs, InP 는 주로 MMIC나 LASER에 유용하다. 참고) () ∙GaAs ∎ Gunn effect (negative resistance) 고전계를 가하면 , ∴ 이므로 가 증가하고, 이 감소하여도 가 매우 작으므로 무시! ∙Gunn effect의 조건 : i) mass of lower valley < mass of higher valley mobility of lower valley > mobility of higher valley () ii) > energy difference between two conduction valley otherwise, gunn effect 이전에 avalanche 발생 ∎ Double barrier structure ∎ Esaki Diode ∙GaP ・direct conduction valley (2.88eV) → used as a LASER material combined with GaAs ・indirect conduction valley (2.1eV) → LED by N doping * recombination center vs. trapping :확률에 있어서 C・B로 다시 돌아갈 확률이 크면 trapping, V・B로 갈 확률이 크면 recombination center ∙GaN : Blue LASER - 초기에는 ZnSe을 썼으나, 80년대 이후 GaN을 사용 → 대용량의 정보처리용 현, 일반 CD-ROM에 GaAsP (red, 0.61∼ 0.7)를 이용 ∙InSb : III-V compound - 만들기 쉽고 el…
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