트랜지스터등가회로

여기서 는 가 순방향바이어스 되어 나타나는 저항으로서 작은 값을 가지며, 정상온도에서 동작점이 정해지면 동작점의 전류 (mA)에 대해서
(Ω) 식 1
의 관계로써 구해진다. 는 낮게 도핑(doping)된 베이스 부분을 가로지르는 저항을 표시하며, 컬렉터전압에 따라서 실제 베이스 길이가 변하기 때문에 도 따라서 변화한다. 는 가 역방향바이어스 되어 나타나는 저항으로서 그 크기는 수 ㏁정도이다. 는 에 대한 의 비를 표시했던 전류전달률과 같은 것으로 간주하면 된다.
이들의 대한 대표적인 크기는
Ω
㏁ Ω 식 2
정도이다.
이때 이고, 이다.
다음은 -등가회로를 -파리미터와 비교해 보도록 한다.
-파라미터는 4단자(terminal)회로망에 대하여

식 3
의 식으로 표시된다.

식 4
여기서 특기할 만한 사실은 와 이 서로 다르다는 점이다. 일반적으로 수동소자의 경우에 있어서는 이 되어 가역회로(reciprocal circuit) 이지만, 트랜지스터 -등가회로의 경우에 있어서는 이며, 이것은 트랜지스터가 능동소자이기 때문에 입출력을 바꾸었을 때 특성이 달라짐을 의미한다. (비가역회로).