지너다이오드 (예비 실험리포트)

이와는 반대로 도핑이 많이 되어 공핍영역이 좁은 다이오드에서는 지너항복이라 하는 현상이 생겨난다. 이것이, 역방향바이어스가 커짐에 따라 p영역전자의 위치에너지가 n영역 전자의 그것보다 점점 커지게 되는데, 이것이 어느 수준을 넘어 p영역 가전자대의 전자들의 위치에너지가 n영역의 전도대의 위치에너지보다 쏟아져 들어오게 되는 현상을 말한다. 이러한 현상이 일어나기 위해서는 공핍영역이 좁아야 하므로 도핑이 많이 되는 것이 지너항복을 위해 유리한 조건이 된다.
지너전압(또는 지너항복전압) VB는 반도체의 재료, 도핑 정도, 접합의 방법 등에 따라서 2V정도에서 수백 V까지 다양하게 변화될 수 있고, 동저항 또한 십분의 수Ω에서 수천Ω까지 된다.
지너전압에서는 전압이 조금만 변하여도 전류가 크게 변하는 성질을 역으로 이용하여, 즉 전류가 크게 변하여도 전압은 거의 일정하게 유지되는 것이 이용하여, 정전압회로로 응용된다. 똑같은 목적에 사용되는 가스다이오드인 정전압 방전관에 비해서, 지너다이오드는 항복전압의 범위가 넓고 전류의 범위도 넓은 등등의 여러 가지 장점을 가진다.

(2) 지너다이오드의 응용

그림2는 정류전원으로의…(생략)