열변형이없는표면개질

2.플라즈마 CVD

이제까지 서술한 PVD 는 공작물을 저온에서 처리할 수 있는 이점의 하나이다. 한편 열화학 반응을 이용한 열 CVD는 처리 온도가 1000도 가량이다. 열 CVD는 막의 밀착 강도가 PVD 에 비해 우수 하지만, 그 처리 온도가 높아 열변형이 일어나 높은 정밀도 요구 하는 요소에 적용은 곤란하다. 이 열 CVD의 결점을 극복 개발한 것이 플라즈마 CVD 이다. 플라즈마 에너지를 이용 하기 위해서는 고온으로밖에 합성 할수 없는 물질에도 비교적 저온 으로 합성 할수 있다. 플라즈마 CVD 장치의 개략은 그림 6과 같다. 진공용기의 노벽을 플러스 공작물을 마이너스로 하고 방전을 일으킨다. 플라즈마 속에서 생성된 이온은 음극전위 강하에 의해 가속 되어 공작물에 충돌 , 막을 형성 하는 것이다. 막의 종류로는 현재 TiN , TiC TiCN이 주류가 되고 있다. 기본적으로 PVD 와 같은 종류의 막이 형성 가능 하며 플라즈마 CVD 로 가능한 막의 종류가 증가 하였기 때문에 현재도 실험을 하고 있다. 일반적으로 원료가 가스상으로 공급되는 플라즈마 CVD 는 막에 금속덩어리가 붙은 드롭레트가 없기 때문에 치밀성이 좋다.
역시 정밀도 또한 뛰어 나다.
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