BJT Technologies

RTL은 저항과 트랜지스터를 이용하여 논리 게이트를 실현한 것이다.

위의 회로에서 출구 전압의 높은 값은 이 출구단자에 걸린 다음 게이트가 몇 개인가에 따라 변하게 된다. 즉 fan-out이 늘어남에 따라 저항 Rc에 연결되는 병렬저항 RB의 개수가 늘어나게 되고, 따라서 는

로, n값에 따라서 줄어들게 된다.

2) DCTL (Direct Coupled Transistor Logic)

RTL 회로에서 베이스(Base)저항을 제거한 것으로 기본 동작은 RTL과 같다.
아래 그림은 DCTL NOR gate로 이 게이트에서는 npn 트랜지스터가 콜렉터를 공유하므로 이들 트랜지스터를 하나의 n영역에 집적 시킬수 있게 된다. 따라서 DCTL은 트랜지스터를 위한 isolation pocket과 저항을 위한 isolation pocket을 필요로 하며, 더구나 회로에 쓰이는 모든 저항을 한 pocket에 집적시킬수 있으므로, 집적도의 측면에서 매우 유리한 개념이다.

DCTL 회로는 저전압 전원(1.5V)에 의한 동작이 가능하며, 전력소모가 작은 장점이 있다. 단점으로는 전류 hogging현상(트랜지스터의 특성치가 있으면 베이스-에미터간의 전압강하가 가장 적은 트랜지스터로 잔류의 대부분이 흘러 트랜지스터의 정상동작을 방해하는…