반도체 다이오드의 특성

이 두 재료가 접합되는 순간에 그 접합영역에 있는 전자와 정공은 결합하여 접합 부분 가까운 영역에는 캐리어들이 부족하게 된다. 이 캐리어들이 부족한 것 때문에 (+),(-)이온들만 존재하게 되는 이 영역을 공핍영역(Depletion Region)이라고 한다.
다이오드는 2단자(two terminal)디바이스이므로 이들 단자에 적용하는 전압에는 세가지 가능한 경우가 있다. 즉, 노 바이어스 (no bias :=0), 순방향 바이어스(forward bias : > 0), 그리고 역방향 바이어스(reverse bias : < 0)이다. 디바이스를 효과적으로 응용하려면, 이들 각 조건에 따른 결과적인 응답을 이해하여야 한다.

(1) 바이어스를 걸지 않았을 경우()

바이어스가 걸리지 않은 조건하 [그림 1]에서 n형 재료 내의 소수케리어(정공)들은 공핍영역을 지나 곧바로 p형 재료로 가게 된다. 소수캐리어가 접합면 가까이 있으면 있을수록 (-)이온층에 의하여 더 크게 끌려 가게 되고, n형 재료의 공핍영역에 있는 (+)이온에는 그 반대가 될 것이다. 여기서 n형 재료의 소수캐리어(정공)들은 그들의 불규칙운동으로 인하여 공핍영역에서 곧바로 P형재료로 들어간다고 가정한다. p형재료의 소수캐리어(전자)들도 …(생략)