반도체 다이오드 특성 실험

4) PN접합 다이오드

반도체 다이오드들은 PN접합으로 구성되며 사용되는 반도체 물질에 따라서 이상적인 다이오드와 특성이 거의 일치된다. PN접합을 만들면 접합면 부근에 공핍층이 발생되며, 공핍층내에는 이온들이 나타난다. 이 이온들은 접합 양단에 전위차를 발생시키며 Ge다이오드의 경우 약 0.25[V], Si 다이오드의 경우 약 0.6[V]의 전위차가 발생된다.

(5) 순반향 바이어스된 PN접합 다이오드

순방향 바이어스를 다이오드에 가하려면 그림 4와 같이 다이오드의 양극에 외부전원의 +전위를 연결하고 음극에 -전위를 연결하면 된다. 이 때 직렬저한 Rs를 사용하는 이유는 다이오드를 통하여 흐르는 전류를 제한하기 위함이다.
순방향 바이어스된 PN접합 SI다이오드와 그 등가회로는 그림 4와 같다. 단 rB는 다이오드 자체저항(bulk resistance)이다.
순방향 바이어스된 PN접합 다이오드에 흐르는 전류는 주로 다수 캐리어에 의한 것으로 그림 5와 같이 자유전자는 양극 쪽으로 이동하고 정공은 음극 쪽으로 이동한다. 그 결과 다이오드에 결과적으로 흐르는 전류 IF는 화살표 방향으로 된다.

(6) 역방향 바이어스된 PN접합 다이오드

역방향 …