투자의사결정(중국 시안 낸드플래시 공장)

s

Opportunity

Threat
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04 투자규모
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투자규모

- 미국 텍사스주 오스틴 공장에 이은 삼성전자의 두 번째 해외 반도체 공장
- 2012년 9월 12일 중국 산시성 시안시 고신공업개발구에 낸드 플래시 반도체 공장 건설 착수 2013년 말 완공 예상
- 약 140만㎡부지에 월 평균 웨이퍼 생산량 10만장 규모의 차세대 10나노급 낸드플래시 생산 라인을 구축
- 2014년부터 첨단 10나노 급 낸드 플레시 메모리 생산 - 생산량 50%정도 상승 예상
- 초기 23억 달러 투자, 총 3년간 단계적으로 총 70억 달러를 투자할 방침(삼성전자가 중국시장과 해외 반도체 투자 가운데 역대 최대 규모에 해당)
- 삼성전자 반도체 관련 160여개 기업 진출, 직접고용 2000여명 및 전체 고용 효과 1만 3천여명 추산
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05 투자의사결정
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투자의사결정
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타인자본비용
투자의사결정
금융비용 / 금융부채의 합계(고정금리 + 변동금리)
= 1,661,190 / (41,129,584 +880,702)
= 3.954%
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투자의사결정
자기자본비용

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자기자본비용
투자의사결정

무위험 이자율 Rf = 2.75%
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자기자본비용
투자의사결정
β (베타값) = 0.91687
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자기자본비용
투자의사결정
시장기대수익률= 7.89%

자기자본비용
= 2.75% + [7.89% 2.75%] X 0.91687
= 7.4627%
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가중평균자본비용

투자의사결정
가중평균자본비용
= 타인자본비용부채 비율 + 자기자본비용자기자본 비율
= 3.954%(1-19.96%) (54.65/160.16) + 7.4627% (105.51/160.16) = 5.996%

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