[공학] 재료 현대 물리 - 터널링 디바이스 및 자연현상에서의의 터널링

재료 현대 물리 - 터널링 디바이스 및 자연현상에서의의 터널링 -터널링 관련 디바이스 주사터널링현미경 [scanning tunneling microscope(STM)] 전도성을 가진 시료의 표면을 아주 첨예한 터널링 탐침으로 스캐닝하여 시료표면의 형태를 관찰하는 디바이스이다. 뾰족한 탐침을 시료 표면에 접근시키고 양단간에 적당한 전압을 걸어주면 비록 두 개의 도체가 떨어져 있다 하더라도 그 간격이 아주 작을 경우 전자가 에너지 벽을 뚫고 지나가는 양자역학적 터널링(tunneling) 현상이 일어나며 이때 흐르는 터널링 전류는 탐침과 시료 사이의 간격에 민감하게 반응한다. STM의 탐침은 피에조 세라믹으로 만들어진 구동기(scanner)에 의해 좌우(x), 전후(y), 상하(z)로 움직여지는데, 이 구동 장치는 0.01 nm 이상의 정밀도를 가진다. 탐침을 통해 흐르는 전류가 일정한 값이 되도록 탐침의 높이를 조정하면서 좌우, 전후로 주사해 가면 탐침이 시료 위를 저공 비행하듯이 따라가게 된다. 이 때 각 지점에서 탐침을 상하로 움직여 준 값을 기록하여 얻은 수치를 컴퓨터 화면에 나타내면 시료의 형상을 나타내는 영상이 된다. NOR형 플래시 메모리 NOR형플래시 메모리는 CHE주입(Channel Hot Electron Injection;채널 고에너지 전자주입)에 의해 프로그래밍되며 소거동작은 소스 전극과 부동게이트 사이의 절연 막에서 일어나는 FN(Fowler-Nordheim)터널링 방식으로실행된다. 터널 다이오드 [tunnel diode] 불순물 반도체에서 부성(負性) 저항 특성이 나타나는 현상을 응용한 p-n 접합 다이오드. 불순물 농도를 증가시킨 반도체로서 p-n 접합을 만들면 공핍층이 아주 얇게 되어 터널 효과가 발생하고, 갑자기 전류가 많이 흐르게 되며 순방향 바이어스 상태…
불순물 반도체에서 부성(負性) 저항 특성이 나타나는 현상을 응용한 p-n 접합 다이오드. 불… -자연현상에서 터널링으로 설명 가능한 현상 우주의 탄생