[공학,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography

실험: Photo Lithography

1. 실험 목적

MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.

2. 실험 방법

가. 실험 변수
PR 두께
Developing time
Exposure time
1~2 micri meter
90 sec
2 sec
5 sec
10 sec
나. 실험 준비물
PR coater, Hot plate, PR developer, Stripping chemical, FE-SEM, 광학현미경,
Si wafer 시료

다. 실험 과정

1) Cleaning 과정을 마친 시료(/Si(001))를 200℃에서 10여 분간 dehydration 시킨다.

2) 시료를 HMDS라는 접착력을 증진시키는 물질을 사용하여 증기에 10여 분간

노출시킨다.

3) 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다.

(…(생략)

4) 감광제의 용제를 제거하고 약 100℃의 핫플레이트에서 공기나 질소 가스 분위기에서 5~10분간 soft baking을 한다.

5) 수 분간 시료를 대기 중에 놔둬 relaxation 시킨다.

6) 포토마스크(한쪽 면이 감광 유제나 금속막으로 패턴이 되어 있는 사각형의 유리판)와

7) 노광이 끝난 후 시료를 TMAH 용액에 1분 30초 간 담가서 현상한다.

8) Photo lithography 공정이 끝난 시료는 광학현미경을 통하여 PR 두께 변화를

9) 노광시간을 5초, 10초로 하여 위의 실험을 반복한다.