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반도체센서의원리에바도체부분ppt세비나자료
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목차/차례
_SLIDE_1_
센서 (반도체부분)
20072035
2xxx0704
이민재
_SLIDE_2_
2
순수 반도체의 단결정(Si)에 소량의 불순물, 즉 3족이나 5족의 원소를 혼입한 것을 불순물 반도체라고 한다. 우리가 흔히 application에 이용하는 반도체는 바로 이 불순물 반도체이다.
이러한 불순물 반도체는 N형 반도체, P형 반도체로 나뉠 수 있다.
불순물 첨가에 의한 저항률이 변한다.
반도체 결정속에 포함된 불순물이 증가되면 저항률이 감소되고 도전성이 증가
센서 (반도체부분)
20072035
2xxx0704
이민재
_SLIDE_2_
2
1. Introduction
불순물 반도체의 정의순수 반도체의 단결정(Si)에 소량의 불순물, 즉 3족이나 5족의 원소를 혼입한 것을 불순물 반도체라고 한다. 우리가 흔히 application에 이용하는 반도체는 바로 이 불순물 반도체이다.
이러한 불순물 반도체는 N형 반도체, P형 반도체로 나뉠 수 있다.
불순물 첨가에 의한 저항률이 변한다.
반도체 결정속에 포함된 불순물이 증가되면 저항률이 감소되고 도전성이 증가
_SLIDE_3_
Introduction
실리콘(Si) 반도체
_SLIDE_4_
4
Doping
N-doping
Negative charge carriers (electrons)
GaAs
Donor impurity : S, Se, Te
As 치환
P-doping
Positive charge carrier...
Introduction
실리콘(Si) 반도체
_SLIDE_4_
4
Doping
N-doping
Negative charge carriers (electrons)
GaAs
Donor impurity : S, Se, Te
As 치환
P-doping
Positive charge carrier...
본문/내용
_SLIDE_1_
센서 (반도체부분)
20072035
2xxx0704
이민재
_SLIDE_2_
2
1. Introduction
불순물 반도체의 정의
순수 반도체의 단결정(Si)에 소량의 불순물, 즉 3족이나 5족의 원소를 혼입한 것을 불순물 반도체라고 한다. 우리가 흔히 application에 이용하는 반도체는 바로 이 불순물 반도체이다.
이러한 불순물 반도체는 N형 반도체, P형 반도체로 나뉠 수 있다.
불순물 첨가에 의한 저항률이 변한다.
반도체 결정속에 포함된 불순물이 증가되면 저항률이 감소되고 도전성이 증가
_SLIDE_3_
Introduction
실리콘(Si) 반도체
_SLIDE_4_
4
Doping
N-doping
Negative charge carriers (electrons)
GaAs
Donor impurity : S, Se, Te
As 치환
P-doping
Positive charge carriers (holes)
GaAs
Acceptor impurity : Zn, Mg
Ga 치환
_SLIDE_5_
5
Donor
도너(donor)
주기율표 5족으로 부터의 불순물은 Ge 의 전도대역 아주 가까운 곳에 에너지 준위를 생기게 한다. 이 준위는 0 K에서 전자도 충만되어 있고, 또 이들 전자를 전도대역으로 여기시키는 데는 극히 적은 열적 에너지가 소모된다.
약 100 K 이상에서는 실질적으로 불…(생략)
센서 (반도체부분)
20072035
2xxx0704
이민재
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2
1. Introduction
불순물 반도체의 정의
순수 반도체의 단결정(Si)에 소량의 불순물, 즉 3족이나 5족의 원소를 혼입한 것을 불순물 반도체라고 한다. 우리가 흔히 application에 이용하는 반도체는 바로 이 불순물 반도체이다.
이러한 불순물 반도체는 N형 반도체, P형 반도체로 나뉠 수 있다.
불순물 첨가에 의한 저항률이 변한다.
반도체 결정속에 포함된 불순물이 증가되면 저항률이 감소되고 도전성이 증가
_SLIDE_3_
Introduction
실리콘(Si) 반도체
_SLIDE_4_
4
Doping
N-doping
Negative charge carriers (electrons)
GaAs
Donor impurity : S, Se, Te
As 치환
P-doping
Positive charge carriers (holes)
GaAs
Acceptor impurity : Zn, Mg
Ga 치환
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5
Donor
도너(donor)
주기율표 5족으로 부터의 불순물은 Ge 의 전도대역 아주 가까운 곳에 에너지 준위를 생기게 한다. 이 준위는 0 K에서 전자도 충만되어 있고, 또 이들 전자를 전도대역으로 여기시키는 데는 극히 적은 열적 에너지가 소모된다.
약 100 K 이상에서는 실질적으로 불…(생략)
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I D : pray** Date : 2014-09-01 FileNo : 14090148 |
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