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[공학] 전자회로 설계 - MOSFET 차동 증폭기 설계

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본문/내용

목 차 1. 설계 주제 2. 설계 목적 3. 설계 내용 4. 차동 증폭기란 5. 이론을 사용한 설계 (1) 설계회로 (2) 설계수식 1) 수식 2) 수식 3) 공통모드 이득계산 4) 차동모드 이득계산 5) CMRR 수식 6) MOSFET 트랜지스터 포화상태 확인 6. P-spice를 활용한 설계 시뮬레이션 (1) Trans (공통모드 / 차동모드) 해석 (2) AC sweep (공통모드 / 차동모드) 해석 (3) 이론값들과 시뮬레이션 값 오차비교 (4) 시뮬레이션을 통한 CMRR dB 측정 (5) 시뮬레이션을 통한 포화영역 확인 (6)저항 값 오차 ±10%에 따른 CMRR 크기 7. 결과 및 고찰 8.참고문헌 1. 설계 주제 - 전자회로Ⅱ에서 배운 지식을 활용하여 직접 MOSFET를 설계 해보자. 2. 설계의 목적 - MOS 소자를 이용하여 차동증폭기를 제한조건 내에서 주어진 규격대로 설계하고 CAD Tool(Spice)을 이용하여 설계 내용을 확인한다. - 잘 모르는 조원들과의 협동 작업을 통하여 친화성과 적응능력을 기르고 P-Spice를 활용하여 이론식으로 풀었던 것이 실제 맞는 것인지 확인하는 기회를 가지며 주어진 설계기준과 마감시간을 준수하여 회사에서 가장 중요한 납기/마감 일자를 지킬 수 있도록 미리 연습해본다. 3. 설계 내용 - 설계 규격 (1) 저항을 부하로 하는 MOS 차동증폭기 설계(기본 구조는 그림 7-48 참조) (2) CMRR ` 20dB (3) 부하저항 5``30 (4) 전원 〓5~15V(dual power supply) (5) 트랜지스터 특성 : , , (각 트랜지스터의 (W/L)비는 조절 가능) - 위 설계규격에 맞추어 이론적으로 먼저 설계 이후 P-SPICE 시뮬레이션으로 결과 값과 그 오차 정도를 비교하여 오차 범위 내에 들어가도록 설계 한다. 4. 차동 증폭기란 정 의 : 특성이 같은 2개의 증폭 …
정…



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I D : leew*****
Date : 2014-06-20
FileNo : 14062016

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