[자연과학] [전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 결과

실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 특성
-회로-
-파형-

2) ID - VDS 특성
-회로-

-파형-

3) 마디전압
-회로-
-파형-

4)드레인 전류
-회로-
-파형-

2.실험 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정

VGS(V)
10
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
0
0.142
0.424
3.760
6.832
14.654
23.582
33.101

n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 특성 측정

VGS(V)
2
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
0.118
0.122
0.125
0.128
0.130
0.135
0.141
0.151

VGS(V)
4
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
2.962
3.319
3.406
3.468
3.518
3.605
3.693
3.850

VGS(V)
6
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
5.837
8.978
9.743
9.957
10.090
10.265
10.408
10.621

VGS(V)
8
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
8.15
14.57
17.41
18.15
18.39
18.65
18.80
18.99

VGS(V)
10
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
9.43
18.95
24.60
27.25
27.97
28.28
28.30
28.23
3.고찰
이번 실험은 증가형 MOFET의 단자 특성과 …(생략)