[자연과학] 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)

전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)

(목 차 (

Abstract.
Introduction
Materials & Methods
Result
Discussion
Conclusion

Abstract (
이번 실험은 트랜지스터 2N7000의 특성을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 특성을 이해한다. 실험한 결과,

Introduction (
2N7000



결과 예측
VGS〓-5.348nV IDS〓 16.03pA VGS〓-12.943nV IDS〓 31.22pA (온도 : 80도) Rs 〓 0 일경우 Rg1을 18M로 변화시켰을 때 VGS
IDS 값이 비슷하게 나왔다. 온도가 80도일 때도 Rs 〓 0 일경우 Rg1을 18M로 변화시켰을 때 VGS IDS 값이 비슷하게 나왔다.
Materials & Methods (
(실험도구 (
Function Generator, Oscilloscope, Power Supply, Multi-meter, 와이어, 빵판, 500Ω 2kΩ 10kΩ 20kΩ 1MΩ 6.7MΩ 저항, 2N7000, 47uF 캐패시터 3개

(실험내용 (
[1-1] 사전보고서의 내용에 따라 Common-Source Amplifier를 설계하시오.
[1-2] MOS 트랜지스터가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.
[2-1] 사전 보고서의 내용에 따라 [2-1~4]의 실험을 수행하여 RS의 역할에 …(생략)