[자연과학][실험레포트] TFT 공정

목차 서론본론결론실험목적 실험 이론Auto CAD Photolithography Process Cell Process실험결과 및 고찰 서론 ▶ 실험 목적 Auto CAD 프로그램으로 자신이 직접 디자인한 Mask를 그려본다. 장비를 이용하여 포통공정과 셀공정에 대해 배우고, 직접 장비를 사용하여 익혀본다. ▶ 실험 이론 우리가 실험에서 쓰인 TN N/W mode에 대해서 간단히 설명하였다. Cell 구조 TN LCD 동작 원리 초기 분자 배향배향 상태 변화광투과율 변화표시 소자 응용 외력 (전기장) TN mode의 장점 : 높은 개구율 및 투과율, 양산 잡음에 둔감 TN mode의 단점 : 잔류 retardation이 존재, 느린 응답속도 본론 ▶ Auto CAD 기본 사용 Mirror(대칭) : 대칭축을 따라 mask를 대칭 시켜준다. Trim(자르기) : 겹쳐있는 선들에서 원하는 곳 을 자를 수 있다. explode(분해) : 합쳐져 있는 객체를 분해 시켜준다. pedit 명령 : 객체들을 하나로 연결시켜준다. line : 선을 그려주는 명령어 Mask 디자인 → 상판에는 한 개의 공통전극으로 패턴이 모두 연결되어 있으며, 하판에는 8개의 각 전극에 각 패턴에 연결되어 있다. ▶ Photolithography Process Positive PR : 빛에 노출되었던 부분이 현상과정을 거치면서 제거 Negative PR : 빛에 노출되지 않았던 부분이 현상과정을 거치면서 제거 → 우리가 실험에 사용한 PR용액은 Positive PR이다.공정내용기판 cuttingITO가 증착된 유리 기판을 100 by 100의 크기로 자른다. 유리 기판 안에는 4개의 패턴이 들어가게 된다.세정기판에 묻어있는 particle 제거 1차 세정 : ultrasonic에 5~10분 담가 초음파 세정을 해준다. 2차 세정 : spin dry로 IPA와 DI water를 이용해 세정한다. PR Coating (PR : Photo …
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