목차/차례
홀 효과 (Hall effect)
수직으로 외부자기장이 걸리는 도체 내에서 캐리어가 힘을받아 휘어짐으로 홀전압이 나타난다.
회로 구성
회로 구성도
0.2T
0.3T
0.4T
R(홀 계수) : 2.21x10^(-5)
R(홀 계수) : 2.05x10^(-5)
R(홀 계수) : 2.06x10^(-5)
전류-전압 : 홀 효과에 의해 그래프에서 보듯이 전류 증가 시 전압이 증가 하는 그래프를 보인다. 이는 반도체 내의 전류 증가 시 n형 반도체의 전자가 형 쪽으로 이동하게 되어 휘어지는 전자의 농도가 높아 진다 이로 인해 T3 , T4 사이의 전위차가 더욱 커지게 되어 홀 전압이 증가 하는 것이다. 전류 일정 시 자기장의 값이 증가 할 때 전압이 증가 하는 것도 볼 수 있다.
본문/내용
홀 효과 (Hall effect)
수직으로 외부자기장이 걸리는 도체 내에서 캐리어가 힘을받아 휘어짐으로 홀전압이 나타난다.
회로 구성
회로 구성도
0.2T
0.3T
0.4T
R(홀 계수) : 2.21x10^(-5)
R(홀 계수) : 2.05x10^(-5)
R(홀 계수) : 2.06x10^(-5)
전류-전압 : 홀 효과에 의해 그래프에서 보듯이 전류 증가 시 전압이 증가 하는 그래프를 보인다. 이는 반도체 내의 전류 증가 시 n형 반도체의 전자가 형 쪽으로 이동하게 되어 휘어지는 전자의 농도가 높아 진다 이로 인해 T3 , T4 사이의 전위차가 더욱 커지게 되어 홀 전압이 증가 하는 것이다. 전류 일정 시 자기장의 값이 증가 할 때 전압이 증가 하는 것도 볼 수 있다.