차세대 메모리 MRAM

파워포인트 차세대 메모리 MRAM 목차 1. MRAM 의 정의 2. MRAM 동작원리 3. MRAM 기술 및 연구동향 4. 기존메모리의 문제점 5. MRAM 의 장점 6. MRAM 의 단점 7. MRAM 의 사용 분야 8. MRAM 의 향후 전망 MRAM의 정의 MRAM : (Magnetic Random Access Memory) 자성체(磁性體)소자를 이용한 비휘발성 고체 메모리로써 마그네틱램(Magnetic RAM) 또는 자기(磁氣)메모리라고도 한다. 자료 처리 속도가 빠를 뿐 아니라 소자의 집적도가 높고 소비전력이 적은 DRAM과 전원이 꺼져도 자료가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점을 함께 가졌기 때문에 DRAM과 플래시메모리를 대체할 차세대 메모리로 떠오르고 있다. MRAM의 도식도 동작원리 MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용하여 동작한다. MRAM의 개발 현황 기존 메모리의 문제점 플래시 메모리의 경우 속도와 사용전력에 단점이 있다. 데이터를 읽을 때는 큰 차이가 나지 않지만 데이터를 기록할 때에는 일반 DRAM보다 무려 1000배 정도 느리다는 단점이 있으며, 기록시의 전력소모도 상당히 높다. 반면에 DRAM의 경우에는 속도는 빠른 반면에 전기를 계속 공급해 주지 않으면 기록되어 있는 내용이 지워진다는 단점이 있다. MRAM의 장점 반 영구적인 수명 정보 기록 및 재생 속도가 빠르다 소비전력이 적다. 비 휘발성 성질을갖는다. 셀 크기가 작아 집적도가 높다. 기존 CMOS와 쉽게 통합 생산할 수 있다 기존의 반도체와 달리 신호의 증폭이 필요하지 않아 매우 빠른 메모리 소자를 제작 가능하다. 특히 방사능 내성이 우수하여 유도탄 과 같은 군수용 인공위성, 스페이서셔틀과 같은 우주항공 분야 MRAM…
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