[공학] 포토리소그래피 실험

1. 포토리소그래피(Photolithography) ⅰ) 포토리소그래피(Photolithography)란? Photolithography 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변하는 월리를 이용하여, 얻고자 하는 patten의 mask를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 mask patten과 동일한 patten을 형성시키는 공정이다. Photolithography 공정은 일반사진의 film에 해당하는 photo resist를 도포하는 PR 도포공정, mask를 이용하여 선택적으로 빛을 조사하는 노광공정, 다음에 현상액을 이용하여 빛을 받은 부분의 PR을 제거하여 patten을 형성시키는 현상공정으로 구성된다. Photolithography 공정은 모든 공정 step이 각종 particle에 대해 매우 취약하고, 이로 인한 pattern 불량이 전체 panel의 불량을 유발하므로, 청정한 환경과 재료 및 장비의 관리가 보다 중요한 공정이며, 향후 TFT 제작공정의 고정밀, 대면적화에 따라서 그 중요성이 더욱 커지는 공정이다. ⅱ) 포토리소그래피(Photolithography) 공정 과정 a) Photoresist(PR) coating ? Wafer 표면에 PR도포 ※ 도포방식 - Dipping - Spray - 룰러 - Spin ※ 영향을 주는 요인 - 점성계수, 다중체 함량, 스핀속도와 가속, 표면청결도 ? 감광막의 두께 형성될 상의 최소 크기 결정 요인 → 스핀속도에 따른 PR두께 변화 b) Type of Photoresist(PR) ? 광반응 메커니즘 - 가고반응형 - 분해반응형 - 변성형 ? 반도체사업에서 - DNQ Novolak Photoresist - Chemical Amplification Resist c) Soft Bake ? 감광제의 용제제거, 접합을 향상 - 60~100?C 5~10min ? 소프트 베이크의 문제점 ⓐ …
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