바이오나노학부 나노 공학실험 레포트 photoresist

나노 공학실험 레포트
Image Reversal using AZ5214E positive photoresist
바이오나노학부

1. Introduction

-Photoresist는 전자소자의 회로와 화상 형성 등에 사용되고 있으며, IC, LSI, 초LSI의 미세하고 복잡한 회로 패턴을 제작하는데 있어서 필수 불가결한 재료의 하나이다. Photoresist는 빛을 받으면 화학변화를 일으키는 재료로 대표적으로 SU 8-50, AZ5214 등이 있다. 이번 실험의 Photoresist는 AZ5214E이다. 이 실험에 앞서 진행했던 Photoresist실험에서는 SU 8-100을 사용했었는데, 이는 점도가 너무 커서 wafer에 spin coating이 잘 되지 않았었다. 그러나 이번 Photoresist인 AZ5214E는 점도가 그렇게 크지 않았기 때문에 wafer에 spin coating이 잘 되었다. 이번 실험에서 알아보고자 한 것은 negative와 positive Photoresist의 image차이이다. develop하기 전에 bake의 정도에 따라 negative image로 나타나는지, positive image로 나타나는지 알아보는 것이 이번 실험의 목적이다.

2. 실험 이론

-Photoresist는 빛을 조사하면 화학 변화를 일으키는 수지를 말하며, 자외선 영역에서 가시광선 영역 파장…(생략)

3. Materials and Method.

① Wafer를 acetone과 IPA로 깨끗하게 씻어내고 Blower로 건조시킨다.

② 200℃의 hot plate에서 10분 동안 건조시킨 후 Wafer를 식힌다. 식힌 후 절반으로 쪼개 2개로 나눈다. 하나는 Positive photoresist, 다른 하나는 Negative photoresist이다.

③ 1μm의 두께로 AZ5214E를 spin coating 한다. Spin speed는 5000rpm이고 Time은 40sec이다.

④ Hot plate에서 110℃에서 50초 동안 Bake 한다.

⑤ 두 Wafer 모두 UV를 비춰준다. 그리고 Positive는 UV를 쬐어준 후 바로 Develop을 진행을 하고, Negative는 UV를 쬐어준 후 다시 hot plate에서 Reversal bake를 진행한다.

⑥ bake가 끝나면 Negative photoresist를 Develop을 진행한다.

⑦ 상이 선명해질 때까지 Develop을 진행한다.

⑧ 상이 선명해지면 alpha step을 이용하여 두께를 측정한다.

4. Result.