º»¹®/³»¿ë
_SLIDE_1_
TEMÅõ°ú ÀüÀÚ Çö¹Ì°æ
_SLIDE_2_
CONTENTS
TEMÀ̶õ ¹«¾ùÀΰ¡
TEMÀÇ ¿ø¸®
TEMÀÇ ½ÃÆíÁ¦ÀÛ
TEMÀÇ Àû¿ë
Çö¹Ì°æÀÇ ºñ±³
_SLIDE_3_
1.TEMÀ̶õ?
Åõ°úÀüÀÚÇö¹Ì°æ(TEM:transmission electron microcope)Àº »ý¹°, ÀÇÇÐ, Àç·á µî °ÅÀÇ ¸ðµç ÀÚ¿¬°úÇаú ±â¼úÀÇ ¿¬±¸¿¡¼ ÇʼöÀûÀÎ µµ±¸·Î Ȱ¿ëµÇ°í Àִµ¥,
ÀÌ´Â ÀüÀÚÇö¹Ì°æÀÇ ÇØ»ó·ÂÀÌ ¶Ù¾î³ª¼ ¹Ì½ÃÀûÀÎ ³»ºÎ±¸Á¶¸¦ °í¹èÀ²·Î È®´ëÇÏ¿© Á÷Á¢ °üÂûÇÒ ¼ö ÀÖ°í ¸¶ÀÌÅ©·Ð ÀÌÇÏÀÇ ±¹ºÎÀûÀÎ ¿µ¿ªÀÇ ÈÇÐÁ¶¼º±îÁöµµ Á¤È®ÇÏ°Ô ºÐ¼®ÇÒ ¼ö Àֱ⠶§¹®ÀÌ´Ù.
¹°ÁúÀÇ ¹Ì¼¼Á¶Á÷°ú °ü·ÃÇÏ¿© °íºÐÇØ´É(High Resolution) Åõ°úÀüÀÚÇö¹Ì°æ(HRTEM)À¸·Î´Â ¿øÀÚÅ©±â Á¤µµÀÇ ¹Ì¼¼Á¶Á÷°ú ¾à 1,000nm3 ÀÌÇÏÀÇ ÀÛÀº ºÎÇǸ¦ ±¸¼ºÇϰí ÀÖ´Â ¹Ì¼¼Á¶Á÷ ±¸¼º¼ººÐ¿¡ ´ëÇÏ¿© ±¸Á¶¿Í ÈÇмººÐÀ» Á¤·®ÈÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
_SLIDE_4_
2.TEMÀÇ ¿ø¸®
e-
e-
e-
backscattered e-
elemental contrast
secondary e-
surface topography
Primary or unscattered e-
projected sample image
t¡¦(»ý·«)
3.TEM Sampling
4. ¹°¸®ÈÇÐÀû ¾ÈÁ¤¼º
5. Æòź¼º
nstruction of (110) surface of Au particle
_SLIDE_21_
High Resolution Electron Microscopy
Rh/SiO2
Reduced
Oxidized
_SLIDE_22_
Rh particles
_SLIDE_23_
Electron-Specimen Interaction
Principle of E. M. lithography
Polymer resist
Substrate
_SLIDE_24_
Electron Beam Lithography
Micropatterning and Microfabrication
PMMA resist
E-beam
develop resist
selectively etch
substrate
_SLIDE_25_
Çö¹Ì°æÀÇ ºñ±³
SEM
TEM
ºÐÇØ´É
ÀÌÂ÷ÀüÀÚ»ó: 40A?°¡½Ã¿µ¿ª:2000AÀÚ¿Ü¿µ¿ª:1000A
ÀÌ·ÐÀû ºÐÇØ´ÉÀº ¾à 0.001nmÀ̳ª »ý¹°ÇÐÀû Ç¥º»¿¡¼ »ç¿ëµÇ´Â ºÐÇØ´ÉÀº ¾à 0.2nm(side entry), 0.14nm(top entry)ÀÌ´Ù.
¾òÀ» ¼ö ÀÖ´Â Á¤º¸
ÁÖ·Î ½Ã·á Ç¥¸éÀÇ Á¤º¸
¼¼Æ÷ÀÇ ¹Ì¼¼±¸Á¶
½Ã·á ´Ü¸éÀÇ Á¤º¸
¿ø¼Ò ³»ºÎÀÇ Á¤º¸
±¹ºÎÀûÀÎ ¿µ¿ªÀÇ ÈÇÐÀû Á¶¼º
º¸±ÞÀ²
(»ó´ëÀûÀ¸·Î)Å©´Ù
ÀÛ´Ù
°üÂû ´ë»ó
ÁÖ·Î ½Ã·áÀÇ Ç¥¸é
ÁÖ·Î ¿ø¼Ò ³»ºÎ
°øÅëÁ¡
³ôÀº ¿¡³ÊÁöÀÇ ÀüÀÚºö(electron beam)À» ÀԻ繰Áú·Î »ç¿ë
ÀÔ»çÀüÀÚ¿Í ºÐ¼®¹°Áú°úÀÇ »óÈ£ÀÛ¿ë¿¡ ÀÇÇØ ¿µÇâÀ» ¹ÞÀº ÀüÀÚ¸¦ ¹Þ¾Æ¼ ºÐ¼®
ÀÔ»çÀüÀÚÀÇ ±Ëµµ¿Í ºöÅ©±â¸¦ ÀÚ±âÀå°ú Àü±âÀåÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿© Á¶Á¤
Â÷ÀÌÁ¡-±¸Á¶»óÀÇ Â÷ÀÌ
? ½Ã·á Áغñ ÀÛ¾÷-
? ÀÀ¿ë ºÐ¾ß
? ºÐÇØ´É
? ÀüÀÚºöÀÇ ¿¡³ÊÁö
ÀüÀÚ¼±ÀÌ ½Ã·á¸éÀ§¸¦ ¸é»óÀ¸·Î
ÁÖ»ç(Scanning) ÇÒ ¶§ ½Ã·á¿¡¼ ¹ß»ýµÇ´Â