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박막증착에 대해
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본문/내용
박막과 증착의 정의
박막이란 전기적,결정적 특성이 양 표면에 의해 지배되는 경우이고,그 두께는 단원자층,단분자층의 것에서부터 약5μm까지를 기준으로 두나,경우에 따라서는 그 한계가 달라질 수 있다.
증착이란 액체가 증기로 되어 수송되고 성막되는 과정을 말하며,고체가 바로 증기가되어 수송되는 것을 승화라 하며,이것이 박막이 되는 기본 메커니즘이다.
박막의 제조방법
박막의 제조방법에는 음극 전해 성막법, 무전극 또는 무전기 성막법, 양극 산화법, CVD법 , 액상 에피탁시법, Langmuir-Blodgett 막 형성법, 흡착 방법이 있다
박막이란 전기적,결정적 특성이 양 표면에 의해 지배되는 경우이고,그 두께는 단원자층,단분자층의 것에서부터 약5μm까지를 기준으로 두나,경우에 따라서는 그 한계가 달라질 수 있다.
증착이란 액체가 증기로 되어 수송되고 성막되는 과정을 말하며,고체가 바로 증기가되어 수송되는 것을 승화라 하며,이것이 박막이 되는 기본 메커니즘이다.
박막의 제조방법
박막의 제조방법에는 음극 전해 성막법, 무전극 또는 무전기 성막법, 양극 산화법, CVD법 , 액상 에피탁시법, Langmuir-Blodgett 막 형성법, 흡착 방법이 있다
1-1)음극 전해 성막법
성막될 물질이 보통 금속일 경우,이 물질이 이온의 형태로 녹아 있거나,어떤 액체 속에 섞여 있는 것을 사용한다. 그 용액이나,액체 속에 두 전극인 +와 -를 삽입하고, 전압을 걸어 주면 금속성인 +이온이 음극으로 끌려오고,이 금속이온이 음극 표면에 모여서 막을 형성되는 방법이다.1-2)무전기 또는 무전기 성막법
전기화학적 과정에 의해 막이 형성되는 방법.즉,외부로부터 전장을 가하지 않아도 막이 형성되는 방법이다.1-3)양극 산화법
산소를 갖고 있는 전해액을 사용해서 금속을 산화시키는 방법이다.1-4)액상 에피탁시법
Sn ,In ,Pb ,BI ,Ga과 같은 녹는 온도가 낮은 금속 내에 용해된 반도체 물질의 결정화에 기초를 둔 반도체 에피막을 증착시키는 방법이다.1-5)Langmuir-Blodgett 막 형성법
고분자 극성 물질을 용재에 녹인 후 이를 물 표면에 떨어뜨리면 단층의 오레인산 고분자층이 형성된다.이를 간단한 수송장치를 이용하여 기판 위에 얹혀서 막을 만드는 방법이다.1-6)흡착방법
흡착에 의해 몇 분자층의 아주 얇은 박막을 만…1-7)CVD(화학적 증착법)
1.원료 가스나 반응계 조건의 설정에 따라 고순도의 박막이 형성된다.
2.피복성이 좋다
3.플라즈마 CVD와 비교하여 장치 구성이 간단하다.
4.플라즈마를 사용하지 않기 때문에 고속 입자의 충돌로 인한 손상이 없다.
5.조건에 따라 선택 성장이 가능하다.
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I D : leew***** Date : 2012-05-11 FileNo : 11042365 |
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