쌍극성 접합 트랜지스터[BJT]특성, BJT의 고정 바이어스 및 전압 분배기 바이어스에 대해서

쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성 - 실험 결과 - 1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정 다음 실험순서는 트랜지스터의 형태, 트랜지스터의 단자 그리고 재료를 결정 할 것이다. 여기에는 멀티미터에 있는 다이오드 테스팅 스케일이 사용될 것이다. 이와 같은 것을 이용할 수 없을 경우에는 멀티미터의 저항 스케일이 사용 될 수도 있다. a. 그림 8-1의 트랜지스터 단자 1, 2, 와 3의 명칭을 적어라. 이 실험에서는 단자의 명칭이 없는 트랜지스터를 사용하라. b. 멀티미터의 스위치 선택을 다이오드 스케일로 두어라. (또는 다이오드 스케일을 사용 할 수 없다면 2kΩ의 범위의 저항 스케일을 사용하라) c. 미터의 양의리드를 단자 1에, 미터의 음의 리드를 단자 2에 연결하라. 표 8.1에 읽혀진 것을 기록하라. Terminal no. 1 2 3 Terminal identity 컬렉터 단자 베이스 단자 에미터 단자 그림 8-1 BJT 리드선의 결정 표 8.1 BJT와 연결된 금속리드선 다이오드 검사 순서 양 부 (또는 높은 저항성분 범위) c 1 2 0 d 2 1 0.619 e 1 3 0 f 3 1 0 g 2 3 0.671 h 3 2 0 2) 컬렉터의 특성 a. 그림 8-2의 회로를 구성하라. b. 1MΩ 전위차계를 변화시켜 VR 가 3.3V 되게 하라. 이 조정은 표 8.3에 나타난 것과 같이 에서 10㎂가 된다. c. 표 8.3에 전압 와 를 기록하라. e. 2V로부터 표 8.3에 나타난 값까지 를 증가시키기 위해 5 ㏀의 전위차계를 변화시켜라. 값 범위에 대해 는 10㎂를 유지됨을 유의하라. f. 의 각각의 값에 대해 와 를 측정하라. 에 대하여 ㎃ 스케일을 사용하라. g. 표 8.3에 나타낸 의 나머지 모든 값에 대해 순서 b~f를 반복하라. 의 각각의 값은 일련의 값에 대해 다른 레벨을 설정할 것이다. h. 모든 데이터가 얻어진 후…
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