[레포트] 외부 양자 효율을 높일 수 있는 방법과 LED 효율 높일 수 있는 방법

1. 외부 양자 효율을 높일 수 있는 방법

1) 수직구조 발광다이오드를 사용한 양자 효율 증가 방법

2) 다공성 알루미나를 사용한 양자 효율 증가 방법

-알루미나를 이용한 OLED의 전기적 광학적 특성을 조사한 결과, 전기적 특성은 소자 내부의 구조가 같으므로 큰 차이가 없다는 것을 알았다. 그러나 발광 휘도 대 전류밀도 특성에서는 소자들 간의 차가 발생하였으며 특히 동공확장 과정을 통하여 동공의 크기를 넓힌 소자는 다공성 알루미나를 부착하지 않은 소자에 비해 약 9%정도 발광효율이 좋아진 것을 관찰할 수 있었다. 또한 장벽층이 있는 다공성 알루미나를 부착한 소자에 비해 장벽층이 없는 다공성 알루미나를 부착한 소자의 발광효율이 좋은 것으로 나타나 다공성 알루미나의 셀, 동공의 크기 및 장벽층 유무 등의 구조를 최적화 한다면 충분히 외부 양자효율의 증진에 이용할 수 있다는 가능성을 알게 되었다.

3) 패턴된 사파이어 기판을 사용한 양자 효율 증가 방법

4)질화물 반도체 발광소자를 사용한 양자 효율 증가 방법

-기판, 기판 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수개의 질화물 반도체층들을 포함하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자에 있어서, 복수개의 질화물 반도체층들은 활성층의 성장후에 성장되는 제1 p형 질화물 반도체층과 제2 p형 질화물 반도체층을 포함하며, 제2 p형 질화물 반도체층은 SiNx로 된 자발 마스킹 층을 마스크로 하여 제1 p형 질화물 반도체층 위에 성장되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자를 제공하며, 이에 의해 발광소자의 전기적 특성에 손상을 주지 않으면서 외부양자효율을 높일 수 있게 된다.

5) ITO 표면 개질방법중 습식 처리 방식 self-assembled monolayer(SAM)을 사용한

양자 효율 증가 방법
-ITO 표면 개질은 ITO와…

6) AlGaInN LED 소자를 형성함에 있어서 활성층에서 발생된 빛을 효과적으로 외부로 끌어내어 외부 양자효율을 증가 시키는 방법

7) 고휘도 특성을 갖는 반도체 발광 소자를 사용한 양자 효율 증가 방법

8) 무반사 처리된 투명 전극층을 가지는 발광 다이오드를 사용한 양자 효율 증가 방법

9) 광학적 매개물을 포함하는 발광 다이오드 사용한 양자 효율 증가 방법

10) 나노스피어 리소그래피를 사용한 양자 효율 증가 방법

2. LED 효율 높일 수 있는 방법