[레포트] 외부 양자 효율을 높일 수 있는 방법과 LED 효율 높일 수 있는 방법

1. 외부 양자 효율을 높일 수 있는 방법 1) 수직구조 발광다이오드를 사용한 양자 효율 증가 방법 2) 다공성 알루미나를 사용한 양자 효율 증가 방법 -알루미나를 이용한 OLED의 전기적 광학적 특성을 조사한 결과, 전기적 특성은 소자 내부의 구조가 같으므로 큰 차이가 없다는 것을 알았다. 그러나 발광 휘도 대 전류밀도 특성에서는 소자들 간의 차가 발생하였으며 특히 동공확장 과정을 통하여 동공의 크기를 넓힌 소자는 다공성 알루미나를 부착하지 않은 소자에 비해 약 9%정도 발광효율이 좋아진 것을 관찰할 수 있었다. 또한 장벽층이 있는 다공성 알루미나를 부착한 소자에 비해 장벽층이 없는 다공성 알루미나를 부착한 소자의 발광효율이 좋은 것으로 나타나 다공성 알루미나의 셀, 동공의 크기 및 장벽층 유무 등의 구조를 최적화 한다면 충분히 외부 양자효율의 증진에 이용할 수 있다는 가능성을 알게 되었다. 3) 패턴된 사파이어 기판을 사용한 양자 효율 증가 방법 4)질화물 반도체 발광소자를 사용한 양자 효율 증가 방법 -기판, 기판 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수개의 질화물 반도체층들을 포함하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자에 있어서, 복수개의 질화물 반도체층들은 활성층의 성장후에 성장되는 제1 p형 질화물 반도체층과 제2 p형 질화물 반도체층을 포함하며, 제2 p형 질화물 반도체층은 SiNx로 된 자발 마스킹 층을 마스크로 하여 제1 p형 질화물 반도체층 위에 성장되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자를 제공하며, 이에 의해 발광소자의 전기적 특성에 손상을 주지 않으면서 외부양자효율을 높일 수 있게 된다. 5) ITO 표면 개질방법중 습식 처리 방식 self-assembled monolayer(SAM)을 사용한 양자 효율 증가 방법 -ITO 표면 개질은 ITO와 유기물 사이의 쇼트기 장벽을 감소시키며, 전극과 유기물의 점착을 향상시켜…
-ITO 표면 개질은 ITO와 유기…