º»¹®/³»¿ë
¹ÝµµÃ¼ ¹× MEMS ±â¼ú
¥°.¹ÝµµÃ¼
1.¹ÝµµÃ¼ÀÇ Á¤ÀÇ
¹ÝµµÃ¼´Â Àü±â°¡ ÅëÇÏ´Â µµÃ¼¿Í Àü±â°¡ ÅëÇÏÁö ¾Ê´Â ºÎµµÃ¼ÀÇ Áß°£ ¹°Áú·Î, Á¦ÀÛÀÚÀÇ Àǵµ¿¡ ÀÇÇØ µµÃ¼µµ µÉ ¼ö ÀÖ°í ºÎµµÃ¼µµ µÉ ¼ö ÀÖ´Â ¼ºÁúÀ» °¡Áø °ÍÀÌ Àִµ¥ À̰ÍÀ» ¹ÝµµÃ¼¶ó°í ºÎ¸¥´Ù.Àü±â¸¦ ÅëÇØ Áְųª ºûÀ» ºñÃç Áְųª ´Ù¸¥ ¹°ÁúÀ» ¼¯¾î ÁÖ´Â µî ¾î¶² ƯÁ¤ÇÑ Á¶°Ç¿¡¼ Àü±â°¡ ÅëÇÏ´Â ¹°ÁúÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
2. ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ±¸¼º
¹ÝµµÃ¼ ¹°Áú¿¡¼ Àü±â¸¦ ³ª¸£´Â ¹°Áú¿¡´Â ÀÚÀ¯ÀüÀÚ¿Í È¦(Hole:Á¤°ø, Áï ÀüÀÚ°¡ ºüÁø ÀÚ¸®)ÀÌ ÀÖ´Ù. À̶§ µµÇÎ(Doping: ºÒ¼ø¹° ÁÖÀÔ)¿¡ ÀÇÇØ Àüµµµµ¸¦ Á¶ÀýÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
2.1 Áø¼º ¹ÝµµÃ¼(Intrinsic Semiconductor)
µµÃ¼¿Í ºÎµµÃ¼ÀÇ Áß°£ Á¤µµÀÇ Àü±â Àüµµ¼ºÀ» °¡Áö¸ç, ÁÖ±âÀ²Ç¥ 4Á·ÀÇ, °Ô¸£¸¶´½, ±Ô¼Ò µî °í ¼øµµ(99.9%)ÀÇ ¹°ÁúÀÌ´Ù. »ó¿Â¿¡¼´Â Àü±â Àüµµµµ°¡ ÀÛÁö¸¸, ºûÀ» ÂØ°Å³ª ¿Âµµ°¡ ³ô¾ÆÁö¸é ¿øÀڷκÎÅÍ ÀüÀÚ°¡ ¶³¾îÁ® ³ª¿Í Àü±â Àüµµµµ°¡ Áõ°¡ÇÏ¿© Àü±â ÀúÇ×Àº ÀÛ¾ÆÁø´Ù.
2.2 ºÒ¼ø¹° ¹ÝµµÃ¼(Extrinsic Semiconductor)
°íÀ¯ ¹ÝµµÃ¼¿¡ ´Ù¸¥ ¿ø¼Ò¸¦ ¹Ì·® ÷°¡Çϸé, Àü±âÀüµµ¼ºÀÌ Áõ°¡ÇÏ°í °íÀ¯ÀÇ Àü±âÀû Ư¼ºÀ» ³ªÅ¸³½¡¦(»ý·«)
3. ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ±â´É
4. ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Àç·á
µµ ±â¼ú »ç¾÷À¸·Î ÁøÇàµÇ°í ÀÖ´Â ±â¼ú °³¹ß ¸íĪÀº ÃʼÒÇü Á¤¹Ð±â°è ±â¼ú°³¹ß À̶ó ºÎ¸£°í ÀÖ´Ù.
<¼º³É°³ºñ º¸´Ù ÀÛÀº MEMS>
2. MEMSÀÇ Àç·á ¹× Á¦Á¶ °øÁ¤ ±â¼ú
MEMSÀç·áÀÇ Á¾·ù¿¡´Â Æú¸®À̵̹å(POLYMIDE), Ni-Ti°è Çü»ó±â¾ïÇÕ±Ý, ÅÖ½¼ÅÙ, ½Ç¸®ÄÜ, ±¸¸®, ±Ý, ´ÏÄÌ, AIN¼¼¶ó¹Í½º µîÀÌ ÀÖÀ¸¸ç, Á¦Á¶°øÁ¤±â¼úÀº ¾Æ·¡¿Í°°´Ù
3. MEMSÀÇ ÀåÁ¡ ¹× ½Ç¿ëÈÀÇ ¾î·Á¿îÁ¡
MEMSÀÇ ÀåÁ¡Àº ù°·Î ¹ÝµµÃ¼ Á¦ÀÛ °øÁ¤À» ÀÌ¿ëÇϱ⠶§¹®¿¡ ÃʼÒÇü Á¦ÀÛ ¹× ´ë·®»ý»êÀÌ °¡´ÉÇϰí, µÎ¹øÂ°·Î´Â ±â°èºÎǰ°ú ¼¾¼,ÀüÀÚȸ·Î µîÀ» ÇÑ Ä¨¿¡ ÁýÀûÇÏ¿© ³ôÀº ½Å·Úµµ¸¦ ¾òÀ»¼ö ÀÖ°í, ¼¼¹øÂ°·Î´Â ÀÛÀº¼ÒÀÚ¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© ¹Ì·®ÀÇ ¹°ÁúÀ» ´Ù·ç°Å³ª ºÐ¼®ÇÒ ¼ö ÀÖ°í,´Ù¼öÀÇ ¼ÒÀÚ¸¦ ÁýÀûÇÏ¿© ºÐ¼®½Ã°£À» ´ëÆø ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù´Â °ÍÀÌ´Ù.
ÇÏÁö¸¸ ½Ç¿ëÈÀÇ ¾î·Á¿îÁ¡Àº ¸¶ÀÌÅ©·Î ¼¼°è¿¡¼´Â Àß ¿òÁ÷ÀÌ´Â ±â°èµµ ±×´ë·Î ÀÛ°Ô ÇØ¼´Â Àß ¿òÁ÷ÀÌÁö ¾Ê°Å³ª È¿À²ÀÌ ¸Å¿ì ³ªºüÁ®¼ ½Ç¿ëȸ¦ ÇÒ¼ö¾ø´Ù´Â Á¡°ú ±â°è¸¦ Á¦¾îÇÏ´Â Á¤º¸ÀÇ °ËÃâ°ú 󸮸¦ À§ÇÏ¿© ¼¾¼¿Í ÄÄÇ»Å͸¦ Á¢¼ÓÇÒ Çʿ䰡 ÀÖÀ»¶§ ±× ¹è¼±ÀÌ ±â°è ÀÚü¿Í °°À» Á¤µµ·Î Ä¿Á®¹ö¸®´Â ¹®Á¦°¡ÀÖ´Ù.
4. MEMS±â¼úÀÇ Àû¿ë
<°³¹Ì ¸Ó¸®º¸´Ù ÀÛÀº ±â¾î>