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[세미나] 방사선이 조사된 MOS구조에서의 전기적 특성
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목차/차례
방사선이 조사된 MOS구조에서의 전기적 특성 서 론 관계이론 시편의 제작 방사선 조사 5. 실험결과 및 고찰 6. 결 론 서 론 방사선의 발생 과정과 성질 이상적인 MOS 커패시터 제조과정에서 문턱전압에 영향을 미치는 요인 MOSFET 의 Oxide층에서 방사선 작용 MOSFET의 구조 n n P-type substrate(body) L Channel Drain Source Gate Oxide layer S D G B - V DS + 문턱전압에 영향을 미치는 요인 1. 금속반도체의 일함수차이 2. 산화막고정전하 3. 산화막내의 가동이온 4. 계면트랩 5. 방사선이 미치는 영향 방사선이 조사된 산화층에서 전자정공
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I D : skys** Date : 2011-04-16 FileNo : 11022729 |
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