전자기효과들

◎Schottky효과
전자관에서 양극과 음극간에 전압을 걸어주면 이로 말미암아 음극표면에는 방출전자를 음극쪽으로 가속하는 방향으로 전계가 생긴다. 음극면에서 x 만큼 떨어져 있는 점의 전위를 V[V]라 하면 그 점에서 전자가 가지는 전위에너지는 -eV이며, 전계 E[V/m]가 일정할 때는 V, 따라서 -eV는 x에 비례한다.
전자는 금속표면의 에너지 장벽에 의하여 금속안으로 끄는 힘, 즉 影像力과 가속전계에 의하여 양극쪽 즉 금속 밖으로 끄는 힘을 동시에 받으므로 두 힘의 합이 방출전자에 작용하는 합성에너지 장벽은 x=x0에서 최대치를 가지며, 일함수는 감소하여 WW에서 WW`로 된다. 이를 Schottky효과라고 한다.

◎터널효과
Potential 우물 안에 갇혀 있는 전자가 전위장벽을 뚫고 자유공간에 나타날 수 있는 확률은 계산할 수 있다. 그리고 전위장벽의 두께가 얇을수록, 또 높이가 낮을수록 확률이 증대한다. 전위장벽의 높이가 ∞ 또는 두께가 ∞일 때 확률은 0으로 된다. 이러한 현상을 터널효과라 한다.

◎전계효과
횡방향의 전류의 흐름이 외부에서 인가된 수직전계에 의해서 제어되는 현상. 횡방향 PN 접합이 평소에는 전류의 흐름을 방해하고 있는데…(생략)