반도체에 대해

-박막트랜지스터
기판 위에 진공증착 등의 방법으로 형성된 박막을 이용하여 만들어진 트랜지스터이다. TFT라고도 한다.
제작을 위해서는 반도체와 절연체, 그리고 금속의 박막을 차례로 증착하여 만든다. 전압 대 전류 비의 특성곡선 모양은 단결정 전기장 효과 트랜지스터(MOSFET)의 것과 유사한 형태를 하고 있다. 그러나 반도체 막을 증착에 의하여 만들기 때문에 단결정 반도체 막에 비해서 더 많은 전기적인 결함과 격자구조의 불완전함을 제작 공정에서 동반하게 된다.
그것이 단결정트랜지스터에 비해서 복잡한 전류 전달 모델을 갖게 하여서 특성의 완전한 수치적인 해석은 컴퓨터의 도움을 받아서만 가능하다. 소자의 성능이나, 재현성 그리고 안정성을 개선하기 위해서는, 반도체 내부와 반도체와 절연체와의 계면에서의 트랩과 결함의 밀도를 제어할 수 있어야 한다. 1960년대에 단결정 실리콘을 사용한 바이폴러(bipolar) 트랜지스터와 MOSFET의 개발 이후 미국의 와이머가 황화카드뮴 화합물의 증착막을 이용하여 개발한 것이 최초이다.
지금까지의 TFT는 절연 게이트형의 전기장효과 트랜지스터가 대부분이었다. 반도체 막의 재료로는 저온에서 형…(생략)