½ÇÇè 9. ¹ÙÀÌÆú¶ó Á¢ÇÕ Æ®·£Áö½ºÅÍ ±âÃÊ ½ÇÇè
1. ½ÇÇè¸ñÀû 1) Bipolar junction trasistor(BJT) ¼ÒÀÚ¸¦ ÀÌÇØÇÑ´Ù. 2) Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ ´Ù·ç´Â ¹æ¹ý ¹× ÃøÁ¤ ±â¹ýÀ» °íÂûÇÑ´Ù. 3) Æ®·£Áö½ºÅÍ Base-Emitter Á¢ÇÕÀÇ ¼ø¹æÇâ(forward) ¹× ¿ª¹æÇâ(reverse) ¹ÙÀ̾¿¡ µû¸£´Â µ¿ÀÛ ¿ø ¸®¸¦ Á¶»çÇÑ´Ù. 2. ½ÇÇè ÀÌ·Ð 1) ¹ÙÀÌÆú¶ó Æ®·£Áö½ºÅÍ ¼ÒÀÚ È®ÀÎ ¹× ÃøÁ¤ ¹æ¹ý (1) ¼¼ °³ÀÇ ´ÜÀÚ¸¦ °¡Áø ¼ÒÀÚ µÎ °³ÀÇ ´ÜÀÚ(P-N)¸¦ °¡Áø ´ÙÀÌ¿Àµå¿Í´Â ´Þ¸® Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â Base, Emitter, collectorÀÇ ¼¼ °³ÀÇ ´ÜÀÚ¸¦ °®´Â´Ù. ¡®Bipolar¡¯°¡ ºÙ´Â ÀÌÀ¯´Â Æ®·£Áö½ºÅÍ°¡ ÀüÀÚ ¹× Á¤°øÀ» ÅëÇØ Àü·ùÀÇ È帧À» °áÁ¤Çϱ⠶§¹®ÀÌ´Ù. ÀϹÝÀûÀÎ Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â ½Ç¸®ÄÜ(Si)·Î ¸¸µé¾îÁø´Ù. ½Ç¸®ÄÜÀº ´õ ³ÐÀº µ¿ÀÛ ¿Âµµ¿µ¿ªÀ» °®°í, ´õ ÀÛÀº reverse-bias leakage current¸¦ °®±â ¶§¹®ÀÌ´Ù. Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â Àü·Â ¼Ò¸ð ´É·Â¿¡ µû¶ó ÀúÀü·Â, ÁßÀü·Â, ´ëÀü·Â ¿ëÀ¸·Î ±¸ºÐµÈ´Ù. ´ëÀü·Â Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â µ¿À۽à ¹ß¿ÀÌ ¹ß»ýÇϹǷÎ, ±Ý¼ÓÆÇ(heat sink) À§¿¡ °íÁ¤ÇÏ¿© »ç¿ëÇÏ°í, ±Ý¼ÓÆÇÀ» ÅëÇØ Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ¿À» ÁÖº¯À¸·Î ¹ß»êÇÑ´Ù.
±×¸² 1 (2) Á¢ÇÕ Æ®·£Áö½ºÅÍ(junction transistor) Bipolar junction transist¡¦(»ý·«)
±×¸² 2 NPN Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ Bias ¹æ¹ý Emitter·ÎºÎÅÍ ³Ñ¾î¿À´Â ÀüÀÚ·Î ÀÎÇØ ¾ÆÁÖ ÀÛÀº Emitter-Base Àü·ù°¡ °ø±ÞµÇ¸ç, Emitter-Collector Àü·ù´Â ÀÌ¿¡ ºñÇØ ¸Å¿ì Å©±â ¶§¹®¿¡, ÀÛÀº Emitter-Base Àü·ùÀÇ º¯È°¡ Å« Emitter-Collector Àü·ù¸¦ ¸¸µé¾î³½´Ù. Áï, ÀüÀÚÀÇ È帧Àº ¾Æ·¡ÀÇ ±×¸² 3°ú °°´Ù.
±×¸² 3 NPN Æ®·£Áö½ºÅÍ ÀüÀÚ È帧µµ ±×¸²¿¡¼ ´Â ¾ÆÁÖ ÀÛÀº
|