실험10예비보고서. 소스 공통 증폭기

실험10. 소스 공통 증폭기


실험 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)특성을 실험적으로 결정한다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정한다.

기초 이론
① JFET / MOSFET
◆ JFET(Junction FET)
☞ 역방향 바이어스 pn 접합으로 채널 전류를 제어하는 FET

◆ JFET와 MOSFET의 차이는
☞ JFET은 동작에 있어 항상 역방향 바이어스가 되어야 한다. 즉, gate 전압이 음전압이므로 회로의 응용 및 설계에 불편을 가져다주는 경우가 많다. (전원의 추가 인가 등)
MOSFET의 바이어스는, 항상 역방향 바이어스여야하는 JFET과 차이가 있다. 즉, 조건에 따라 역방향 바이어스가 아니더라도 동작한다.
또한, MOSFET은 JFET보다 훨씬 더 큰 입력 임피던스를 갖는다.

◆ MOSFET의 종류
☞ MOSFET은 제작 방식에 따라 디플리션(depletion-공핍)형 또는 인핸스먼트(enhancement-증가)형으로 구분된다.
② Enhancement MOSFET
인핸스먼트형에서는 드레인과 소스 사이에 채널이 형성되어 있지 않고, N형 드레인과 소스는 P형 기판에 의해 분리되…(생략)