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다이오드 예비 보고서


레포트 > 공학기술
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자료설명

본 자료는 다이오드의 종류와 특성에 대해 작성된 리포트입니다.
다이오드예비보고서

본문/목차

Ⅰ. 실험 제목
Ⅱ. 실험 목적
Ⅲ. 기초이론
Ⅳ. 실험 방법
Ⅴ. 시뮬레이션 결과


1. 반도체
반도체란 전도체의 금속과 절연체의 중간정도의 전기 전도도를 가지는 특정한 물질을 말한다. 반도체에서의 전기의 전도도는 주변의 온도 및 불순물의 함유상태 등에 의해 변화하는 특징을 가지며, 반도체의 재료는 주기율표 4족 및 그 주위의 물질들이며 4족에 속하는 반도체인 실리콘과 게르마늄은 원소 반도체라하며 단일 종류의 원자들로만 이루어져 있다.
초기 반도체의 재료는 게르마늄이 많이 사용되었으나 현재 주로 실리콘을 많이 사용하고 있으며 특히 기억소자 전류소자 들의 LC회로에 사용된다. 3, 5족의 GaAs와 G예 는 발광 다이오드에 사용된다.

2. 도핑
반도체는 전자적, 광학적 성질이 불순물에 의해 크게 영향을 받으며 이 불순물들은 정밀하게 제어된 양으로 첨가된다. 이는 불순물이 반도체의 전도도를 광범위하게 변화시키고 심지어 음 전하 캐리어 에 의한 것에서 양 전하 캐리어에 의한 것으로 반도체의 전도 과정의 성질을 바꾸어 놓는다. 이와 같은 불순물 첨가를 도핑(doping)이라고 한다.

3. 다이오드
1) 다이오드
다이오드란 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체 부품이다. 반도체란 원래 이러한 성질을 가…(생략)

James J. Brophy, Basic Electronics for Scientists, McGrow Hill
이석목, 2003년 1학기 전자물리학 강의노트
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대, 인터비젼
홍순관 외2명, PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1/chap1/index.html

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