[공학]전자회로실험 - CE 구성의 특성곡선 및 측정

결과 보고서
1. 실험 제목
CE 구성의 특성곡선 및 측정

2. 실험 목적
트랜지스터의 접속 중 CE접속을 이용하여 회로를 구성, 그에 따른 각 저항 및 소자에서 출력되는 전류, 전압을 측정하여 TR의 동작을 이해한다.
pcpice , 이론계산으로 나온 값과 실제 실험을 통하여 나온 값을 비교하여 실제적인 오차를 파악하고 실제로 트랜지스터가 어떻게 작동하는지를 알아본다.

3. 실험 장비 및 재료
전원 : 가변 dc 전원
계측기 : dc 전류계 (2개), 멀티미터
저항 : 1/2 100Ω 1%, 1kΩ 1%, 1/4W 3.9Ω, 820Ω, 5kΩ (또는 4.7kΩ) 가변저항 (2개)
반도체 : 2N2222A (npn)
기타 : ON/OFF DIP 스위치 (2개)

4. 실험절차 및 결과 분석
(실제 실험은 저항 R1을 20k으로 하여 실험 하였다.)

A. 측정

1. 주어진 트랜지스터의 형(type)과 에미터, 베이스, 콜렉터 단자를 테스터를 사용하여 확인하라.
- 멀티테스터기 Range를 1R 에 두고 흑색 리드와 적색리드를 다음 순서로 측정하여 NPN 형과 PNP 형을 먼저 구분.

A. 트랜지스터 다리 3개를 임의로 1,2,3 으로 정하고 1번핀에 적색을 고정하고 검은색리드를 나머지 2번과 3번에 …(생략)