G.반도체 다이오드

물리 및 실험 ∥ #7. 반도체 다이오드 화요일 5,6교시(05년 11월 15일) 항공우주기계공학부 2005121238 최재형 1.실험 목적 p-n 접합형 반도체의 정특성을 측정하고 정류작용의 원리를 이해한다. 2.이론 n-형 반도체와 p-형 반도체를 접합시켜 놓은 것이 반도체 다이오드이다 P-n 접합 다이오드의 동작 원리는 그림 I (a) - (d) 에 표시 하였다. 그림 1 (c) 와 같이 전압 E를 걸어줄때, p쪽에 (+)를. n쪽에 (-)전압을 걸어주는 경우를 순 바이어스 전압을 건다고 하고 이 때 p층 내부영역의 hole 은 n쪽으로, n층 내부의 전자는 p쪽으로 이동하고 외부 회로에는 순 방항 전류 IA가 흐른다. 이 전류는 로 표시된다. 여기서 Is 는 포화전류로서, 다이오드의 개별적 물성에 관한 항이며. 역방향 연결시의 .포화 누설전류이기도 하다. 또, q는 전자 흑은 hole 의 전 하량이고 V는 부가전압이다. 그림 1 (d)는 (c) 와의 역방향으로 전압 v(역 바이어스 전압)를 걸어 줄 때의 그림이고 p층 내의 hole 및 n층의 전자는 각각의 전극쪽으로 끌려 간다.이 결과 hole 과 전자가 이동해 가버린 후의 빈 영역을 결핍층(depletion layer)이라 부른다. 이 츰에는 전기전도에 기여할 수 있는 자유전하가 없고 마치 절연 체와 같이 된다. 역방항 전류는 IA = …
n-형 반도체와 p-형 반도체를 접합시켜 놓은 것이 반도체 다이오드이다 P-n 접합 다이오드의 동작 원리는 그림 I (a) - (d) 에 표시 하였다. 그림 1 (c) 와 같이 전압 E를 걸어줄때, p쪽에 (+)를. n쪽에 (-)전압을 걸어주는 경우를 순 바이어스 전압을 건다고 하고 이 때 p층 내부영역의 hole 은 n쪽으로, n층 내부의 전자는 p쪽… 3.실험방법 V 10 8 6 4 I 0.11A 0.08A 0.06A 0.04A V 2 1 0 30 I 0.02A 0.01A 0.00A 0.00A