Cu film의 전기적 특성 분석 실험

Cu film의 전기적 특성 분석 실험
국민대학교 신소재공학부
20071332 최교원

1.실험목적
전자제품(반도체,display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al이 있다. 하지만 최근의 경향이 고집적화, 대면적화로 진행됨에 따라서 대체 재료로 Cu이 각광을 받고 여러 방면에서 연구를 진행하고 있다.
Cu Bulk의 비저항은 1.67μΩ-cm로서 Al bulk (2.7μΩ-cm)에 비해 매우 낮다. 이러한 특성으로 인하여 RC delay로 인한 신호의 지연으로 응답속도의 차이를 극복하는데 이용할 수 있는 좋은 재료이다.
이번 실험에서는 이러한 Cu박막의 전기적 특성에 영향을 미치는 인자들에 대한 실험을 진행하고자 한다.

2.이론적 배경
1)RC delay
소자의 집적도가 증가함에 따라 transistor의 gate length가 감소하게 되고 transistor switching time 또한 점점 빨라지고 있다. 이러한 gate length의 감소는 아래의 RC delay 식에서 저항을 증가시킴으로써 RC delay가 커지게 된다. 또한 switching time이 빨라지면 이에 따른 delay는 보다 크게 문제가 되게 되므로 집적도 증가에 따른 RC delay 증가의 문제는 개선이 필수적이라 할 수 있다.
2)sputter의 원리
˙ plasma란:
고온…