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[¼Ö·ç¼Ç] ºÐ¼®ÈÇÐ 6ÆÇ ¼Ö·ç¼Ç (Analytical Chemistry 6th Edition, Gary D. Christian) ÀÔ´Ï´Ù.
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Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 3rd edition Solutions Manual
Chapter 1 Problem Solutions
Chapter 1
Problem Solutions
1.1 (a) fcc: 8 corner atoms ¡¿ 1/8 ¡ë 1 atom 6 face atoms ¡¿ ¨ö ¡ë 3 atoms Total of 4 atoms per unit cell (b) bcc: 8 corner atoms ¡¿ 1/8 ¡ë 1 atom 1 enclosed atom ¡ë 1 atom Total of 2 atoms per unit cell (c) Diamond: 8 corner atoms ¡¿ 1/8 ¡ë 1 atom 6 face atoms ¡¿ ¨ö ¡ë 3 atoms 4 enclosed atoms ¡ë 4 atoms Total of 8 atoms per unit cell 1.2 (a) 4 Ga atoms per unit cell Density ¡ë 4 atoms per cell, so atom vol. ¡ë 4 Then 4 Ratio ¡ë
FG 4¥ðr IJ H3K
3
16 2 r (c) Body-centered cubic lattice 4 d ¡ë 4r ¡ë a 3 ¢¡ a ¡ë r 3 Unit cell vol. ¡ë a ¡ë
3
FG 4¥ðr IJ H 3 K ¡¿ 100% ¢¡
3 3
Ratio ¡ë 74%
F 4 rI H 3K
3
2 atoms per cell, so atom vol. ¡ë 2 Then
FG 4¥ðr IJ H3K
3
b
4
?8
5.65 x10
g
3
¢¡
22 ?3
Density of Ga ¡ë 2.22 x10 cm
22
4 As atoms per unit cell, so that Density of As ¡ë 2.22 x10 cm (b) 8 Ge atoms¡¦(»ý·«)