탄성계수 측정 실험

Ⅱ-1. 스트레인 게이지
스트레인 게이지는 1856년 LOAD KEVIN에 의해 그 원리가 발견되었다. 이것이 “금속체는 외력을 가하면, 변형한다”라는 당연한 것에서, 금속 저항체를 당기면 길어지는 동시에 가늘어지고, 전기저항이 증가한다는 원리이다. 또, 그 반대로, 압축되면 줄어들고 전기 저항은 감소한다. 이 원리를 응용해서 만들어진 것이 스트레인 게이지이다.
스트레인 게이지는 가해진 변형(치수의 변화)에 의해 전기 저항치가 변화하는 원리를 이용해서 우선 금속저항체선 게이지가 고안되고 이어서 박 게이지나 반도체 게이지가 개발되었다. “변형”이라는 것은 치수의 변화인데 그 변형을 측정함으로써, 물체에 가해진 힘·응력을 측정할 수 있다.
스트레인 게이지는 최초에는 단순한 응력 측정 수단으로서 사용되고 있었으나, 최근에는 재료, 구조물의 응력, 힘, 변형, 압력, 변위등의 외력에 의한 변화를 측정할 뿐 아니라, 그 응용 범위가 점점 넓어지고 있다.
또, 물체에 여러 가지 현상을 변형으로 변환해서 측정하는, 즉 물리 현상 ⇒ 변형 ⇒ 전기 신호의 변환기로서, 하중, 장력, 압력 등의 전기적 변환기(보통 트랜서듀서라고 함)가 출현한 후에 연…(생략)