휘트스톤브리지

1. 실험목적
휘트스톤 브리지의 구조와 사용 방법을 알고, 이것을 이용하여 미지의 전기저항을 정밀하게 측정한다
2. 이론 및 원리
미지의 저항을 측정하는 장치 R₁, R₂의 저항값은 이미 알고 있으며, R₃는 가변 저항으로 저항값을 변화시킬 수 있는 저항이다. Rx는 측정하고자 하는 미지의 저항이다

휘트스톤브리지
가변 저항 R3을 적당히 조절해서 검류계에 전류가 흐르지 않으면 B점과 C점의 전위는 같다. 그러므로 A와 B 사이의 전위차와 A와 C 사이의 전위차는 같다. VAB=VAC
마찬가지로 B와 D 사이의 전위차와 C와 D 사이의 전위차는 같다. VBD=VCD
그러므로 VAB=VAC에서 I1R1=IxRx가 되고 VBD=VCD에서 I2R2=I3R3가 된다. 여기서 I1=I2, Ix=I3이므로 R1R3=R2Rx이다. R1, R2, R3의 저항값은 이미 알고 있으므로 Rx의 값은 다음과 같다.

3. 실험 방법
Wheatstone Bridge의 회로를 만능기판에 설치한다. Lab Unit를 이용하여 가변저항기를 이용해 임의의 저항 R₂ R₄와 저항 R₁ R₃를 이용한다. 전압계를 이용하여 가운데 저항대신 연결하여 전압이 0이 되로록 조절하여 R₂ R₄의 값을 테스터로 측정. 이를 다른 저항들의 조합으로 만들고, 총 3회 반복…(생략)