Photolithography를 이용한 pattern형성

1.실험제목 : Photolithography를 이용한 pattern형성
2.실험목적 : Photolithography에 사용하는 각 공정의 원리와 공정시 주의점을 알 수 있다.
3.실험기구, 장비, 재료 :
-Cr 증착된 기판
-Developer, Stripper, Cr etchant
4.Photolithography 공정 순서
Cleaning -] PR coating -] Soft Baking -] Mask align & Exposure -] Develop -] Hard baking -] Cr etching -] Strip
5.실험방법 :
①Cr이 증착된 기판 Cleaning을 한다.(Isopropyl alcohol에 약 10분 가량 Ultra sonic처리 -]DI water -]gas로 drying)
②Spin coater위에 기판을 올리고 진공 잡은 후 PR을 뿌리고 코팅을 한다.(500rpm : 10초, 3000rpm : 30초, 1000rpm :10초)
③PR을 굳히기 위해 Soft baking(110℃) 15분 정도 건조
④스스로 그린 Pattern을 기판위에 올려놓고 UV lignt를 노광(2.5초)
⑤PR을 제거하기 위해 Developer에 기판을 담그고, DI water로 세척
⑥세척후 Hard baking(130℃)에서 약 10분 정도 건조
⑦Cr etchant에 dipping하여 경과를 보면서 Cr을 제거
⑧제거 후 Pattern이 된 부분의 PR을 제거하기위해 Stripper에 dipping하여 제거
6.실험 결과 및 고찰
-PR의 종류…(생략)